SPEA 利用 DOT800T，将一整套的功率测试解决方案整合到了单台设备之中，提供了在全范围功率应用中进行 ISO、AC、DC 测试所需的所有资源，从晶圆级到最终产品，均可轻松完成。
DOT800T 不但解决了传统硅电子器件的测试要求，也解决了氮化镓和氮化硅等新技术带来的测试要求，覆盖了这些产品的性能范围，包括最高电压和电流源，高频低电流测量等需求。
我们已经利用完整且精确的动态测试和静态测试以及隔离测试序列验证了该型产品在实际工作条件下的测试能力，能够充分检测确保各种器件的质量和可靠性。
所有这些，都集成在了一套高处理量、模块化且可配置的测试仪之中，这款测试仪专门针对批量生产环境中的测试需求而设计。
单套测试平台即可覆盖全范围功率应用
晶圆
能够对晶圆级的功率器件进行完整测试，改善良品率，降低成本，为下一步的制造工序做好准备
KGD
能够对胶片框架中的单个芯片进行完整测试，验证已知合格芯片的性能
分立器件
能够对基于 Si / SiC / GaN 技术生产的各种分立器件进行完整测试
IPM
能够对智能功率模块的 IGBT 和驱动器组件进行完整测试
DBC
能够在模块装配之前对直接粘合的铜质基板进行完整的测试
模块
能够对已封装的 IGBT 模块进行实际工作条件下的完整测试
一套测试仪，最多可配备 6 个测试测试站
DOT800T 基于多核心架构：测试仪可配备一个到六个独立且可配置的测试核心，来在不同的专门测试站上执行 ISO 测试、AC 测试和 DC 测试，每一个测试站都配备有专用独立控制器。有了这一套系统，您获得的将是六台强大测试仪的测试能力和出色性能。
可根据具体的要求和操作流程，将测试仪不同的核心指定用作 AC、DC 或 ISO 测试站。可在现场对测试仪的配置进行扩展和升级，满足不同器件测试对测试仪的要求。
不同的测试程序可在真正的并行异步模式下进行，每个测试核心的控制器都能够管理相应的测试资源、仪器连接和测试程序执行。
进行功率测试的最佳资源
DOT800T 配备了一整套最先进的专用仪器来执行各种功率半导体测试，设计同于检测确保新一代宽带隙技术的性能和可靠性，支持高电压、高电流、高功率和高切换频率等各种严苛测试条件。
该测试仪能够同时在测试中供应高电压和高电流，同时仍可保证极为出色的电流灵敏度，其内置的数字化仪可确保在漏电和击穿测量中实现最佳的分辨率和精度。可利用本地设置存储来实现模块设置的更改，也可利用内嵌宏来生成各种斜坡和触发，这带来了测试时间短的优点。
可在模块之间实现整系统内的硬件同步，可在高电压和高电流模块上实现嵌入警报（例如过温、过流、波动、开式温度等），这些都是实现测深仪在混合模式下的可靠和安全运行的基础。
ISO 测试资源
- 高达 12kV/10mA DC
- 高达 10kV/20mA AC
- 高电压安全开关（带输出矩阵）用于限制放电电流，确保测试仪在任何情况下都保证安全
AC 测试资源
- 高达 6kV，高达 3kA
- 电流短路测试，高达 10kA
- 最多 8 个可独立编程的门驱动
- 2 – 8 个多脉冲
- 数字化仪的取样率可达 10GS/s 取样率
DC 测试资源
- 中等功率 V/I 资源（±100V、±2A，最高可达 16A），配备 8 台驱动和 8 个数字化仪，各自完全浮动和互相独立
- 高电压发生器发生能力高达 20kV
- 高电流发生器可发生高达 4kA 脉冲电流，配有自动斜坡发生器，可缩短测试时间
测试仪杂散电感 <10nH
对高功率、高频率期间的动态测试不仅要求测试仪器的良好性能，还要求测试仪的连接布局、插口和接触器等的设计必须谨慎且优秀，才能确保在整个信号路径中充分降低杂散电感, 从而最大程度上减小整流期间的电压超调问题。SPEA 能够提供完整的测试解决方案，一步式资源即可覆盖您测试功率器件的所有需求。
各接触单元均由 SPEA 研发制造，充分保证了易用性、高性能和低杂散电感等优点，适用于对行业标准和自动封装的各种器件进行环境温度下，以及双温度或三温度条件下的测试。
针对晶圆 KGD 和 IGBT 模块，SPEA 也提供有完整的测试设备，整合了机器人自动搬运处理，适用于直接集成到您的生产线之中。
执行的测试
| ISO 测试 | AC 测试 | DC 测试 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 所有引脚和底板之间的绝缘测试 | TdOn - 开延时 | NTC temistor 检查 | ||||
| NTC和底板之间的绝缘测试 | TdOff – 关延时 | IGES – 栅极漏电电流 | ||||
| NTC和IGBT间的绝缘测试 | Trise – 升时间 | VGETh – 阈值电压 | ||||
| Tfall – 降时间 | Cies - 栅极 – 发射极电容 | |||||
| Eon – 开能量 | Cres - 反向传输电容 | |||||
| Eoff– 关能量 | Coes – 输出电容 | |||||
| Qrr – 反向恢复电荷 | 栅极电荷 (Qg) | |||||
| Erec – 反向恢复能量 | VBr – 二极管击穿测试 | |||||
| ΔI/ΔTOn – 开状态电流转换速率 | ICES – 集电极漏电电流 | |||||
| ΔI/ΔTOFF - 关状态电流转换速率 | VF – 二极管正向电压 | |||||
| ΔV/ΔTOn - 开状态电压转换速率 | VCESat – 饱和电压 | |||||
| ΔV/ΔTOff – 关状态电压转换速率 | BVDS - 击穿电压 | |||||
| Vrr – 电压反向恢复 | 开尔文 | |||||
| IRM – 峰值反向恢复电流 | RDSON | |||||
| Trr – 反向恢复时间 | 动态 RDSON | |||||
| 短路测试 | 雪崩 / UIL / UIS |
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